| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SISF04DN bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SISF04DN bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
|
4 / 9 page ![]() SiSF04DN www.vishay.com Vishay Siliconix S19-0764-Rev. A, 02-Sep-2019 4 Document Number: 77230 For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000 TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted) Source-Drain Diode Forward Voltage On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Threshold Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 10 100 1000 10000 0.1 1 10 100 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 Axis Title V FS1S2 - Source-to-Source Voltage (V) T J = 150 °C T J = 25 °C 10 100 1000 10000 0 0.003 0.006 0.009 0.012 0.015 02468 10 Axis Title V GS - Gate-to-Source Voltage (V) T J = 125 °C T J = 25 °C 10 100 1000 10000 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 Axis Title T J - Junction Temperature (°C) I D = 250 μA 10 100 1000 10000 0 20 40 60 80 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Axis Title t - Time (s) |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |