| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ISCN366P bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ISCN366P bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() 1 isc website:www.iscsemi.cn isc&iscsemi is registered trademark isc Silicon NPN Power Transistor ISCN366P DESCRIPTION · DC Current Gain- : hFE= 20-60@IC = 0.5A · Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 400V(Min) · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 800 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 10 V IC Collector Current -Continuous 5.0 A PC Collector Power Dissipation@ TC=25℃ 80 W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -65~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 1.56 ℃ /W |
Số phần tương tự - ISCN366P |
|
Mô tả tương tự - ISCN366P |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |