Technische Information / technical information

FS75R12KE3

IGBT-Module

IGBT-Modules

min.

typ.

max.

-

-

0,35

K/W

-

-

0,58

K/W

mm

clearence distance

Luftstrecke

mm

creepage distance

Kriechstrecke

g

weight

G

180

Gewicht

M

3

-

Innere Isolation

6

internal insulation

CTI

comperative tracking index

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Schraube / screw M5

225

10,0

7,5

-

k

Ω

Thermische Eigenschaften / thermal properties

-5

-

5

-5

Verlustleistung

∆R/R

power dissipation

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemp.

Übergangs Wärmewiderstand

pro Modul / per module

operation temperature

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

B-value

%

-

-

Charakteristische Werte / characteristic values

NTC-Widerstand / NTC-thermistor

Nennwiderstand

rated resistance

B-Wert

K/W

-

0,02

-

3375

-

K

°C

20

mW

150

-

--

-40

-

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften

zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

125

°C

°C

-40

-

125

Lagertemperatur

storage temperature

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with

the belonging technical notes.

Innerer Wärmewiderstand; DC

thermal resistance, junction to case; DC

Transistor Wechelr. / transistor inverter

Diode Wechselrichter / diode inverter

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Nm

Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung

mounting torque

3 (8)

DB_FS75R12KE3_3.0 .xls

2002-09-03