 |
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
|
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ACE3415B bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ACE3415B bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
|
1 / 6 page  ACE3415B P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VER 1.2 1 Description The ACE3415B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Features ⚫ VDS=-20V, ID=-4.3A ⚫ RDS(ON)<55mΩ @ VGS=-4.5V ⚫ RDS(ON)<63mΩ @ VGS=-2.5V ⚫ RDS(ON)<73mΩ @ VGS=-1.8V ⚫ ESD Protected: 3000V HBM Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Max Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS ±8 V Drain Current (Continuous) TA=25 OC ID -4.3 A TA=70 OC -3.4 Drain Current (Pulse) IDM -32 A Power Dissipation TA=25 OC PD 1 W Operating and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 to 150 O C Packaging Type TSOT-23-3 Pin Configuration TSOT-23-3 Description 1 Gate 2 Source 3 Drain |
Số phần tương tự - ACE3415B |
|
Mô tả tương tự - ACE3415B |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Vietnamese ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
