MT3S04AS datasheet(2/2 Pages) TOSHIBA

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MT6L57AE

2003-03-28

電気的特性

電気的特性 Q1 (Ta

==== 25°C)

項目

記号

測定条件

最小

標準

最大

単位

コレクタしゃ断電

流

ICBO

VCB = 5 V, IE = 0

0.1

エミッタしゃ断電

流

IEBO

VEB = 1 V, IC = 0

直流電流増幅率

hFE

VCE = 1 V, IC = 5 mA

140

トランジション周波数

VCE = 3 V, IC = 5 mA

GHz

ïS21eï

2 (1)

VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

7.5

挿

入

電力利

得

ïS21eï

2 (2)

VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

4.5

NF (1)

VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

1.7

雑音指数

NF (2)

VCE = 3 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

1.6

帰還容量

Cre

VCB = 1 V, IE = 0, f = 1 MHz

(注 2)

0.35

0.75

注

2: Cre は 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。

電気的特性

電気的特性 Q2 (Ta

==== 25°C)

項目

記号

測定条件

最小

標準

最大

単位

コレクタしゃ断電

流

ICBO

VCB = 5 V, IE = 0

0.1

エミッタしゃ断電

流

IEBO

VEB = 1 V, IC = 0

直流電流増幅率

hFE

VCE = 1 V, IC = 5 mA

160

fT (1)

VCE = 1 V, IC = 5 mA

4.5

トランジション周波数

fT (2)

VCE = 3 V, IC = 7 mA

GHz

ïS21eï

2 (1)

VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz

8.5

挿

入

電力利

得

ïS21eï

2 (2)

VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz

7.5

NF (1)

VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz

1.3

2.2

雑音指数

NF (2)

VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

1.2

帰還容量

Cre

VCB = 1 V, IE = 0, f = 1 MHz

(注 2)

0.9

1.25

注

2: Cre は 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。

取り扱い上の注意

この製品は構造上静電気に弱いため製品を取り扱う際、作業台･人･はんだごてなどに対し必ず静電対策を講じてくださ

い。

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