| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
TSU112IYQ3T bảng dữ liệu(PDF) 22 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
TSU112IYQ3T bảng dữ liệu(HTML) 22 Page - STMicroelectronics |
|
22 / 32 page ![]() 5.9 EMI robustness of nanopower devices Nanopower devices exhibit higher impedance nodes and consequently they are more sensitive to EMI. To improve the natural robustness of the TSU112IY device, we recommend to add three capacitors of around 22 pF each between the two inputs, and between each input and ground. These capacitors lower the impedance of the input at high frequencies and therefore reduce the impact of the radiation TSU112IY EMI robustness of nanopower devices DS13616 - Rev 1 page 22/32 |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |