| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
TEP5B3CM bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Rectron Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
TEP5B3CM bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Rectron Semiconductor |
|
2 / 4 page ![]() Symbol Parameter Value Units VESD ESD per IEC 61000-4-2 (Air) ESD per IEC 61000-4-2 (Contact) ±30 ±30 kV PPP Peak Pulse Power (8/20μs) 350 W TOPT Operating Temperature -55~150 qC TSTG Storage Temperature -55~150 qC Symbol Parameter Test Condition Min Typ Max Units VRWM Reverse Working Voltage 3.3 V VBR Reverse Breakdown Voltage IT = 1mA 4.0 6.0 V IR Reverse Leakage Current VRWM = 3.3V 1.0 μ A VC Clamping Voltage IPP = 1A, tp = 8/20μs 6.5 V VC Clamping Voltage IPP = 23A, tp = 8/20μs 13 16 V CJ Junction Capacitance VR = 0V, f = 1MHz 35 45 pF ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Tamb=25°C, unless otherwise specified) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25°C,unless otherwise specified) |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |