| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
HM20N60 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
HM20N60 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
|
3 / 10 page ![]() Source-Drain Diode Characteristics Rating Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Units IS Continuous Source Current (Body Diode) -- -- 20 A ISM Maximum Pulsed Current (Body Diode) -- -- 80 A VSD Diode Forward Voltage IS=20A,VGS=0V -- -- 1.5 V trr Reverse Recovery Time -- 400 -- ns Qrr Reverse Recovery Charge IS=20A,Tj = 25°C dIF/dt=100A/us, VGS=0V -- 4.5 -- µ C Pulse width tp≤380µs,δ≤2% Symbol Parameter Typ. Units RθJC Junction-to-Case 0.5 ℃ /W RθJA Junction-to-Ambient 62 ℃ /W a1:Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature a2:L=10mH, ID=15.5A, Start TJ=25℃ a3:ISD =20A,di/dt ≤200A/us,VDD≤BVDSS, Start TJ=25℃ 20N60 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |