| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
HM5N90 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
HM5N90 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
|
4 / 10 page ![]() Tc , Case Temperature , C 50 0 0 25 100 75 125 150 40 80 120 Characteristics Curve: 0.01 0.1 1 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 Rectangular Pulse Duration,Seconds 0 2 4 6 8 10 12 14 0 5 10 15 20 25 30 35 Vds , Drain-to-Source Voltage , Volts Vds , Drain-to-Source Voltage , Volts 10 0.01 1 0.1 1 10 100 100 10000 1000 Figure 2 Maximun Power Dissipation vs Case Temperature Figure 5 Maximum Effective Thermal Impendance , Junction to Case Figure 4 Typical Output Characteristics Figure 3 Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature Figure 1 Maximun Forward Bias Safe Operating Area DC 100μs 1ms 10ms VGS=10V VGS=6V VGS=7V VGS=8V VGS=9V PDM t2 t1 NOTES: DUTY FACTOR :D=t1/ t2 PEAK Tj=PDM*ZthJC*RthJC+TC 50% 20% 10% 5% Single pulse 2% 1% Tc , Case Temperature ,C 25 0 50 75 100 125 150 0 1.2 2.4 3.6 4.8 6 OPERATION IN THIS AREA MAY BE LIMITED BY RDS(ON) TJ=MAX RATED TC=25℃ Single Pulse HM5N90 Silicon N-Channel Power MOSFET P ag e 4 of 10 Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd http://www.hmsemi.com |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |