| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
19N10L-TN3-R bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
19N10L-TN3-R bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
|
3 / 4 page ![]() www.doingter.cn — 3 — Trr Reverse Recovery Time --- 35 --- Ns qrr Reverse Recovery Charge --- 121 --- nc Notes: Typical Characteristics: (T C=25℃ unless otherwise noted) ISD=8A, VGS=0V di/dt=1 00A/μs ① Pulse width limited by maximum allowable junction temperature ② Limited by TJmax, starting TJ = 25°C, L = 0.1mH,RG = 25 Ω, IAS = 18A, VGS =10V. Part not recommended for use above this value ③ Pulse width ≤ 300μs; duty cycle≤ 2%. VDS, Drain -Source Voltage (V) Fig1. Typical Output Characteristics Tj - Junction Temperature (°C) Fig2. VGS(TH) Voltage Vs. Temperature Tc, Case Temperature (°C) VGS, Gate -Source Voltage (V) Fig3. Typical Transfer Characteristics ID , Drain Current (A) Fig4. On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 19N10L-TN3-R |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |