| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
4N60ZL-TN3-R bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
4N60ZL-TN3-R bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
|
3 / 5 page ![]() www.doingter.cn — 3 — trr Reverse Recovery Time 4 330 --- Ns qrr Reverse Recovery Charge 4 2.67 --- nc Notes: Typical Characteristics: (T C=25℃ unless otherwise noted) 1:Pulse width limited by maximum junction temperature 2:L=25mH, IAS=4.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃ 3 : ISD ≤4.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4:Pulse Test:Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2% 5:Essentially independent of operating temperature On-Region Characteristics Transfer Characteristics 24 68 10 0.1 1 10 Notes: 1.250μs pulse test 2.V DS=40V 150℃ V GS [V] 25℃ 10 1 10 V GS Top 15V 10V 8V 7V 6.5V 6V 5.5V Bottom 5V Notes: 1. 250μs pulse test 2. T C=25℃ V DS [V] VGS=0V, IS=4.0A dIF/dt=100A/μs On-Resistance Variation vs. Drain Current and Gate Voltage Body Diode Forward Voltage Variation vs. Source Current and Temperature 0.1 1 10 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 Notes: 1. 250μs pulse test 2. V GS=0V 25℃ 150℃ V SD [V] 0123 456 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 Note :T j=25℃ V GS=10V I D [A] V GS=20V 4N60ZL-TN3-R |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |