| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FTV05LBUL2 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - First Silicon Co., Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FTV05LBUL2 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - First Silicon Co., Ltd |
|
2 / 4 page ![]() ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) 2. VBR is measured with a pulse test current IT at an ambient temperature of 25°C. 3. Surge current waveform per Figure 4. 4. For test procedure see Figures 3. Figure 1. ESD Clamping Voltage Screenshot Positive 8 kV Contact per IEC61000−4−2 Figure 2. ESD Clamping Voltage Screenshot Negative 8 kV Contact per IEC61000−4−2 Device Device Marking VRWM (V) IR ( A) @ VRWM VBR T (Note 2) VC (V) PP (Note 3) VC Max Max Min Max Per IEC61000−4−2 (Note4) FTV05LBUL2 5.0 0.5 6.0 3 12.1 See Below Figures 1 and 2 u Typ Max 2.5 I (V) @ = 2.5 A = 1mA tp=8/20μs @ I PP I C (pF) (A) Max 2.5 PP P (W) Max 30 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) Symbol Parameter IPP Maximum Reverse Peak Pulse Current VC Clamping Voltage @ IPP VRWM Working Peak Reverse Voltage IR Maximum Reverse Leakage Current @ VRWM VBR Breakdown Voltage @ IT IT Test Current Ppk Peak Power Dissipation C Capacitance @ VR = 0 and f = 1.0 MHz Bi−Directional TVS IPP IPP V I IR IT IT IR VRWM VC VBR VRWM VC VBR 5 Q FTV05LBUL2 2019. 05. 14 2/4 Revision No : 1 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |