| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FTK830P bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - First Silicon Co., Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FTK830P bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - First Silicon Co., Ltd |
|
3 / 8 page ![]() MOSFET 2007. 12. 18 3/8 FTK830P / F Revision No : 0 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Cont.) VSD TJ = 25°C, ISD = 5A, VGS = 0V 1.5 V ISD 5.5 A ISDM 18 A tRR 250 ns QRR TJ = 25°C, ISD = 5A, dlSD/dt ==100 A/µs 5.0 µC Note: 1. Pulse Test: Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2% 2. Modified MOSFET symbol showing the integral reverse P-N junction diode as below. PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP UNIT SOURCE TO DRAIN DIODE SPECIFICATIONS Source to Drain Diode Voltage (Note 1) Continuous Source to Drain Current Pulse Source to Drain Current Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge MAX Note 2 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |