IXTH30N50 datasheet(1/2 Pages) IXYS

tên linh kiện	IXTH30N50

Giải thích chi tiết về linh kiện	MegaMOS FET

PDF	2 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	IXYS [IXYS Corporation]

Trang chủ	http://www.ixys.com

Logo

1 / 2 page

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V

DSS

T

J

= 25

°C to 150°C

500

V

DGR

T

J

= 25

°C to 150°C; R

GS = 1 MΩ

500

V

GS

Continuous

±20

V

GSM

Transient

±30

V

I

D25

T

C

= 25

°C30

A

I

DM

T

C

= 25

°C, pulse width limited by T

JM

120

A

P

D

T

C

= 25

°C

360

W

T

J

-55 ... +150

°C

T

JM

150

°C

T

stg

-55 ... +150

°C

T

TT

LLLLL

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

M

d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

6g

TO-247 AD

G = Gate,

D = Drain,

S = Source,

TAB = Drain

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T

J = 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

V

DSS

V

GS

= 0 V, I

D = 5 mA

500

V

BV

DSS temperature coefficient

.087

%/k

V

GS(th)

V

DS

= V

GS, ID = 250 µA2

4

V

GS(th) temperature coefficient

-0.25

%/k

I

GSS

V

GS

=

±20 V

DC, VDS = 0

±100

nA

I

DSS

V

DS

= 0.8 • V

DSS

T

J = 25°C

200

µA

V

GS

= 0 V

T

J = 125°C3

mA

R

DS(on)

V

GS

= 10 V, I

D = 0.5 • ID25

30N50

0.17

Ω

Pulse test, t

≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

Features

International standard package

JEDEC TO-247 AD

Low R

DS (on) HDMOS

TM process

Rugged polysilicon gate cell structure

Fast switching times

Applications

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

Motor controls

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

DC choppers

Advantages

Easy to mount with 1 screw

(TO-247)

(isolated mounting screw hole)

Space savings

High power density

94569-E (8/02)

D (TAB)

MegaMOSTMFET

N-Channel Enhancement Mode

IXTH 30N50

V

DSS

=

500 V

IIIII

D (cont)

=

30 A

R

DS(on)

=

0.17

Ω

Số phần tương tự - IXTH30N50

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Inchange Semiconductor ...	IXTH30N50	380Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
IXYS Corporation	IXTH30N50L	148Kb / 5P	N-Channel Enhancement Mode
Inchange Semiconductor ...	IXTH30N50L	272Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
IXYS Corporation	IXTH30N50L2	147Kb / 5P	Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode
IXYS Corporation	IXTH30N50L2	159Kb / 6P	N-Channel Power MOSFET

More results

Mô tả tương tự - IXTH30N50

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Sanken electric	FKV460FP	14Kb / 1P	MOS FET
IXYS Corporation	IRFP470	47Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode MegaMOS FET
	IXTH12N90	102Kb / 4P	MegaMOS FET
	IRFP460	77Kb / 4P	MegaMOS - Power MOSFET
	IXTH20N60	105Kb / 4P	MegaMOS FET
	IXTH50N20	111Kb / 4P	MegaMOS FET
	IXTM10N100	106Kb / 4P	MegaMOS FET
	IXTT75N10	53Kb / 2P	MegaMOS FET
	IRFP360	50Kb / 2P	MegaMOS FET
	IXTN120N25	584Kb / 5P	High Current MegaMOS FET

More results

IXTH30N50 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - IXYS Corporation

IXTH30N50 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - IXYS Corporation

Số phần tương tự - IXTH30N50

Mô tả tương tự - IXTH30N50

Html Pages

1 2

bảng dữ liệu tải về

Link URL