| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IXTP5N50P bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - IXYS Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXTP5N50P bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - IXYS Corporation |
|
4 / 5 page ![]() IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions. IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592 4,931,844 5,049,961 5,237,481 6,162,665 6,404,065B1 6,683,344 6,727,585 one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072 5,017,508 5,063,307 5,381,025 6,259,123B1 6,534,343 6,710,405B2 6,759,692 4,881,106 5,034,796 5,187,117 5,486,715 6,306,728 B1 6,583,505 6,710,463 IXTA 5N50P IXTP 5N50P IXTY 5N50P Fig. 11. Capacitance 1 10 100 1000 10000 0 5 10 15 20 25 30 35 40 VD S - Volts Ciss Coss Crss f = 1MHz Fig. 10. Gate Charge 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 2468 10 12 14 Q G - nanoCoulombs VDS = 250V ID = 2.5A IG = 10mA Fig. 7. Input Adm ittance 0 1 2 3 4 5 6 7 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 VG S - Volts TJ = 125ºC 25 º C -40 º C Fig. 8. Transconductance 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 01 2345 67 I D - Amperes T J = -40º C 25 º C 125 º C Fig. 9. Source Curre nt vs. Source -To-Drain Voltage 0 3 6 9 12 15 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 VS D - Volts TJ = 125ºC TJ = 25ºC Fig. 12. Forw ard-Bias Safe Operating Area 0.1 1 10 100 10 100 1000 VD S - Volts 100µs 1ms DC TJ = 150º C TC = 25º C RDS(on) Limit 10ms 25µs |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |