| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PB210BD bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PB210BD bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD |
|
1 / 5 page ![]() PB210BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) THERMAL RESISTANCE RATINGS UNITS 1Pulse width limited by maximum junction temperature. VGS °C / W THERMAL RESISTANCE V ±20 RqJC 62.5 3 Power Dissipation Junction-to-Ambient PD TJ, TSTG TC = 25 °C TC = 100 °C SYMBOL RDS(ON) TC = 100 °C PARAMETERS/TEST CONDITIONS Gate-Source Voltage 230mΩ @V GS = 10V 10A ID 100V Continuous Drain Current Operating Junction & Storage Temperature Range TYPICAL SYMBOL Junction-to-Case IDM Pulsed Drain Current 1 LIMITS -55 to 150 W UNITS 40 10 41 6 mJ Avalanche Engergy L = 0.1 mH Avalanche Current IAS 18 A TC = 25 °C ID EAS 16.5 17 MAXIMUM °C RqJA Rev 1.2 1 2014/5/23 |
Số phần tương tự - PB210BD |
|
Mô tả tương tự - PB210BD |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |