 |
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
|
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IRFP140 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IRFP140 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
1 / 2 page  isc website：www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 1 iscN-Channel MOSFET Transistor IRFP140 · FEATURES · Low drain-source on-resistance: RDS(ON) ≤77mΩ @VGS=10V · Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) · 100% avalanche tested · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation · DESCRITION · Switching Voltage Regulators · ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage ± 20 V ID Drain Current-Continuous 31 A IDM Drain Current-Single Pulsed 120 A PD Total Dissipation @TC=25℃ 180 W Tj Max. Operating Junction Temperature -55~175 ℃ Tstg Storage Temperature -55~175 ℃ · THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth(ch-c) Channel-to-case thermal resistance 0.83 ℃ /W |
Số phần tương tự - IRFP140 |
|
Mô tả tương tự - IRFP140 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Vietnamese ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
