| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
60N06 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
60N06 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc N-Channel MOSFET Transistor 60N06 · DESCRIPTION · Drain Current ID= 60A@ TC=25℃ · Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 18mΩ(Max) · Fast Switching Speed · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation · APPLICATIONS · General purpose power amplifier High current,high speed switching Solenoid and relay drivers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25℃) SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 60 V VGS Gate-Source Voltage ± 20 V ID Drain Current-continuous@ TC=25℃ 60 A Drain Current-continuous@ TC=100℃ 39 ID(puls) Pulse Drain Current 120 A Ptot Total Dissipation@TC=25℃ 40 W Tj Max. Operating Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ · THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 3.125 ℃ /W |
Số phần tương tự - 60N06 |
|
Mô tả tương tự - 60N06 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |