| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SB1261-Z bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SB1261-Z bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc Silicon PNP Power Transistors 2SB1261-Z DESCRIPTION · Low Collector Saturation Voltage · High Power Dissipation- : PC= 10W(Max)@TC=25℃ · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · Designed for use in audio amplifier and switching, especially in hybrid integrated circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO Emitter-Base Voltage -7 V IC Collector Current-Continuous -3 A PC Collector Power Dissipation @TC=25℃ 10 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ |
Số phần tương tự - 2SB1261-Z |
|
Mô tả tương tự - 2SB1261-Z |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |