| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
WSF80N06 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Shenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
WSF80N06 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Shenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd |
|
4 / 6 page ![]() N-Ch MOSFET WSF80N06 Page 4 www.winsok.tw Dec.2014 Q G , Total Gate Charge (nC) Fig 7. Gate Charge Characteristics V DS , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 8. Typical Capacitance Characteristics V DS , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 9. Maximum Safe Operating Area t , Pulse Width (s) Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance V GS , Gate-to-Source Voltage (V) Fig 11. Transfer Characteristics Fig 12. Gate Charge Waveform Q VG 4.5V QGS QGD QG Charge 0 1000 2000 3000 4000 1 21 41 61 81 f=1.0MHz C iss C oss C rss 0 1 2 3 4 5 6 0 10 20 30 40 50 60 I D = 30 A V DS =48V 0.01 0.1 1 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 PDM Duty factor = t/T Peak Tj = PDM x Rthjc + TC t T 0.02 0.01 0.05 0.1 0.2 Duty factor=0.5 Single Pulse 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 1000 T C =25 o C Single Pulse 100us 1ms 10ms 100ms DC 0 20 40 60 80 100 0 2 4 6 8 T j =150 o C T j =25 o C V DS =5V Operation in this area limited by RDS(ON) |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |