| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
HMS5N70 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
HMS5N70 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
|
3 / 7 page ![]() 0.1 1 10 100 1000 10000 0 100 200 300 400 500 600 700 VDS Drain-Source Voltage [V] 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 0 2 4 6 8 10 ID [A] 0 2 4 6 8 10 12 0 2 4 6 8 10 QG [nC] 1E-05 1E-04 1E-03 1E-02 1E-01 1E+00 1E+01 1E+02 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 VSD [V] 0 2.5 5 7.5 10 0 5 10 15 20 VDS, Drain-Source Voltage [V] 0 2.5 5 7.5 10 0 2 4 6 8 10 VGS, Gate-Source Voltage [V] Typical Characteristics Figure 1. On Region Characteristics Figure 2. Transfer Characteristics Figure 3. On Resistance Variation vs Drain Current and Gate Voltage Figure 4. Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature Figure 5. Capacitance Characteristics Figure 6. Gate Charge Characteristics 4.5V 5V 5.5V 20V 10V 8V 7V 25℃ 150℃ ※ Notes 1. VDS = 20 V 2. 300us Pulse Test 6V 25℃ 150℃ ※ Notes 1. VGS = 0 V 2. 300us Pulse Test ※ Notes 1. VGS = 10 V 2. TJ = 25 ℃ ※ Notes 1. VGS = 0 V 2. f = 1 MHz Ciss Coss Crss ※ Notes 1. ID = 1.8 A VGS = 20V VGS = 10V 140V 350V 560V HMS |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |