| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PJM2319PSA bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM2319PSA bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
3 / 8 page ![]() PJM2319PSA P-Enhancement Field Effect Transistor www.pingjingsemi.com 3 / 8 Revision:1.0 Mar-2018 Ratings and Characteristic Curves 0 5 10 15 20 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 VGS =10 V thru 5V VGS =4V VGS =3V 0.00 0.03 0.06 0.09 0.12 0.15 0 5 10 15 20 VGS = - 10 V VGS = - 4.5 V 0 2 4 6 8 10 0 3 6 9 12 15 ID =3.1 A VDS =20V VDS =32V VDS =10V Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature 0 1 2 3 4 5 TC = 25 °C TC = 125 °C TC = - 55 °C 0 250 500 750 1000 0 8 16 24 32 40 Ciss Coss Crss V DS - Drain-to-Source Voltage (V) 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 VGS =- 4.5 V; ID =- 2.6 A VGS = - 10 V; ID = =- .1 A T J - Junction Temperature (°C) 0 1 2 3 4 V DS - Drain-to-Source Voltage (V) Output Characteristics V GS - Gate-to-Source Voltage (V) Transfer Characteristics I D - Drain Current (A) On-Resistance vs. Drain Current Q g - Total Gate Charge (nC) Gate Charge |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |