| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PJM30P30DI bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM30P30DI bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
1 / 4 page ![]() PJM30P30DI P-Channel Power MOSFET www.pingjingsemi.com 1 / 4 Revision:1.0 Dec-2018 Absolute Maximum Ratings Ratings at TC =25℃ unless otherwise specified. Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage -VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current -ID 30 A Pulsed Drain Current Note1 -IDM 80 A Power Dissipation PD 35 W Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG 150, -55 to 150 °C Thermal Characteristics Parameter Symbol Typ. Units Maximum Junction-to-Case Note2 RθJC 3.57 °C/W ⚫ RDS(ON) = 11.5mΩ @ VGS=-10V (Typ.) ⚫ High density cell design for ultra low RDS(on) ⚫ Fully characterized avalanche voltage and current DFN3.3X3.3-8L Schematic Diagram Features Applications ⚫ Power switching application ⚫ Hard switched and high frequency circuits ⚫ Uninterruptible power supply S S S G D D D D 3 1 2 Gate Source Drain |
Số phần tương tự - PJM30P30DI |
|
Mô tả tương tự - PJM30P30DI |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |