| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PJM20H02NSC bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM20H02NSC bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
1 / 6 page ![]() Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID 1.5 A Maximum Power Dissipation Note1 PD 1.25 W Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG 150,-55 To 150 ℃ Thermal Resistance,Junction-to-Ambient Note2 RθJA 100 ℃ / W PJM20H02NSC N- Enhancement Mode Field Effect Transistor 1 / 6 1 2 Gate Source 3Drain Applications Synchronous buck converter applications Features VDS = 200V,ID = 1.5A RDS(ON) < 900mΩ @ VGS=4.5V RDS(ON) < 700mΩ @ VGS=10V Super Low Gate Charge Schematic diagram Absolute Maximum Ratings Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified. Thermal Characteristics www.pingjingsemi.com Revision:1.0 Jun-2019 1. Gate 2.Source 3.Drain SOT-23-3 2 1 3 |
Số phần tương tự - PJM20H02NSC |
|
Mô tả tương tự - PJM20H02NSC |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |