| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PJM2310NSA bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM2310NSA bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
1 / 6 page ![]() Features Schematic diagram SOT-23 Applications Trench FET Power MOSFET RDS(ON) < 105mΩ (VGS = 10V) RDS(ON) < 125mΩ (VGS = 4.5V) DC/DC Converter Battery Switch 3 1 2 Gate Source Drain PJM2310NSA N- Enhancement Mode Field Effect Transistor 1 / 6 www.pingjingsemi.com Revision:1.1 Jan-2019 Absolute Maximum Ratings Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified. Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ± 20 V Continuous Drain Current ID 3 A Pulsed Drain Current Note 1 IDM 10 A Total Power Dissipation PD 0.9 W Operating Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature TSTG - 55 to + 150 ℃ Thermal Characteristics Parameter Symbol Value Unit Thermal Resistance, Junction to Ambient Note2 RθJA 139 ℃ / W 1. Gate 2.Source 3.Drain Marking: S10 |
Số phần tương tự - PJM2310NSA |
|
Mô tả tương tự - PJM2310NSA |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |