| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PJM2306NSA bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM2306NSA bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
3 / 6 page ![]() 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 0.1 1 10 01 23 4 0 4 8 12 16 20 01 23 456 78 9 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 01 23 456 78 9 10 0 100 200 300 400 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0 4.4 4.8 0 2 4 6 8 10 12 14 25 50 75 100 125 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 T a=100 ℃ Pulsed V SD I S —— T a=25 ℃ Pulsed SOURCE TO DRAIN VOLTAGE V SD (V) V GS=7V V GS=6V V GS=5V V GS=4V Output Characteristics V GS=3V DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V DS (V) VGS=4.5V VGS=10V T a=25 ℃ Pulsed DRAIN CURRENT I D (A) I D —— R DS(ON) T a=100 ℃ Pulsed T a=25 ℃ Pulsed GATE TO SOURCE VOLTAGE V GS (V) V GS —— R DS(ON) ID=2.5A VDS=3V GATE TO SOURCE VOLTAGE V GS (V) Transfer Characteristics T a=100 ℃ T a=25 ℃ I D=-250uA Threshold Voltage JUNCTION TEMPERATURE T j ( ) ℃ PJM2306NSA N- Enhancement Mode Field Effect Transistor 3 / 6 www.pingjingsemi.com Revision:1.1 Dec-2018 Typical Characteristics Curves |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |