 |
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
|
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PJM2302NSA bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM2302NSA bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
1 / 8 page  Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±8 V Drain Current-Continuous ID 3.3 A Drain Current-Pulsed Note 1 IDM 16 A Maximum Power Dissipation PD 0.9 W Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Parameter Symbol Limit Unit Thermal Resistance,Junction-to-Ambient Note 2 RθJA 139 ℃ /W PJM2302NSA N- Enhancement Mode Field Effect Transistor 1 / 8 SOT-23 Schematic diagram 1 2 Gate Source 3Drain Features ⚫ Fast Switching ⚫ Low Gate Charge and RDS(on) ⚫ High power and current handing capability Applications ⚫ Battery protection ⚫ Load switch ⚫ Power management Absolute Maximum Ratings Ratings at TC = 25℃ unless otherwise specified. Thermal Characteristics 1. Gate 2.Source 3.Drain Marking: M22 www.pingjingsemi.com Revision：2.0 May-2019 |
Số phần tương tự - PJM2302NSA |
|
Mô tả tương tự - PJM2302NSA |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Vietnamese ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
