| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PJM10H05NST bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM10H05NST bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
3 / 5 page ![]() Source-Drain Diode Characteristics Symbol Parameter Test Conditions Rating Units Min. Typ. Max. IS Continuous Source Current 2(Body Diode) -- -- 5 A VSD Diode Forward Voltage 3 IS=5A,VGS=0V -- -- 1.5 V Symbol Parameter Typ. Units RθJC Junction-to-Case 2 42 ℃/W PJM10H05NST N-MOS 3 / 5 www.pingjingsemi.com Revis ion:1.0 Nov-2017 1: Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature. 2: Surface Mounted on FR4 Board, t≤10sec. 3: Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤2%. 4: Guaranteed by design, not subject to production 5: EAS condition:Tj=25℃,VDD=50V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |