 |
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
|
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PJM7N02SA bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM7N02SA bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
1 / 5 page  PJM7N02SA Silicon N-Channel Power MOSFET www.pingjingsemi.com 1 / 5 Revision：1.0 May-2018 Features Fast switching Low gate charge and RDS(ON) VDS=20V ID=7A PD=1. 2W RDS(ON)=26 mΩ(max) @10V Application Load/ power switching Small portable electronics Mark: M20 Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃unless otherwise specified) Symbol Parameter Rating Units VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage ±12 V ID Continuous Drain Current 7 A IDM(1) Pulsed Drain Current 30 A RθJA Thermal Resistance from Junction toAmbient 104 ℃ /W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~+150 ℃ TL Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8’’ from case for 10 s) 260 ℃ Notes:1.Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature 3D 1G 2S |
Số phần tương tự - PJM7N02SA |
|
Mô tả tương tự - PJM7N02SA |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Vietnamese ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
