| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PJM02N60SA bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM02N60SA bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
1 / 7 page ![]() Features Schematic diagram SOT-23 Applications High power and current handing capability RDS(ON) < 85mΩ @VGS = 10V RDS(ON) < 120mΩ @VGS = 4.5V VDS=60V, ID=2A DC/DC Converter Battery Switch 1.Gate 2.Source 3.Drain PJM02 60SA N- Enhancement Mode Field Effect Transistor 1 / 7 Absolute Maximum Ratings Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified. Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ± 20 V Continuous Drain Current ID 2 A Pulsed Drain Current Note1 IDM 10 A Operating Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature TSTG - 55 to + 150 ℃ Thermal Characteristics www.pingjingsemi.com Revision:2.0 May-2020 Total Power Dissipation PD 0.9 W Parameter Symbol Value Unit Thermal Resistance, Junction to Ambient Note2 RθJA 139 ℃ / W |
Số phần tương tự - PJM02N60SA |
|
Mô tả tương tự - PJM02N60SA |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |