FTD4240 datasheet(2/5 Pages) FS

tên linh kiện	FTD4240

Giải thích chi tiết về linh kiện	General Purpose Transistors

PDF	5 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	FS [First Silicon Co., Ltd]

Trang chủ	http://www.firstsilicon.co.kr/

Logo

2 / 5 page

FTD4240

2014. 07. 01

2/5

Revision No : 0

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX. UNIT

ICBO

collector-base cut-off current IE = 0; VCB = 30 V

−

100

IEBO

emitter-base cut-off current

IC = 0; VEB = 4 V

−

100

hFE

DC current gain

IC = 100 mA; VCE = 2 V

350

−

IC = 500 mA; VCE = 2 V

300

−

IC = 1 A; VCE = 2 V

300

−

IC = 2 A; VCE = 2 V

150

−

VCEsat

collector-emitter saturation

voltage

IC = 100 mA; IB = 1 mA

−

IC = 500 mA; IB = 50 mA

−

100

IC = 750 mA; IB = 15 mA

−

180

IC = 1 A; IB = 50 mA; note 1

−

180

IC = 2 A; IB = 200 mA; note 1

−

320

VBEsat

base-emitter saturation

voltage

IC = 2 A; IB = 200 mA; note 1

−

1.1

VBEon

base-emitter turn on voltage IC = 100 mA; VCE = 2 V

−

0.75

collector capacitance

IE = Ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz

−

transition frequency

IC = 100 mA; VCE = 10 V; f = 100 MHz

100

−

MHz

Note

1. Pulse test: tp ≤ 300 µs; δ ≤ 0.02.

FTD4240 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - First Silicon Co., Ltd

FTD4240 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - First Silicon Co., Ltd

Html Pages

1 2 3 4 5

bảng dữ liệu tải về

Link URL