| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IXTP4N60P bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXTP4N60P bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 1 isc N-Channel MOSFET Transistor IXTP4N60P · FEATURES · Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤ 2.0Ω@VGS=10V · Fully characterized avalanche voltage and current · 100% avalanche tested · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation · APPLICATION · DC/DC Converter · Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification · ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage ± 30 V ID Drain Current-Continuous 4 A IDM Drain Current-Single Pulsed 10 A PD Total Dissipation @TC=25℃ 89 W Tj Operating Junction Temperature -55~150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ · THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth(j-c) Junction-to-case thermal resistance 1.40 ℃ /W |
Số phần tương tự - IXTP4N60P |
|
Mô tả tương tự - IXTP4N60P |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |