VBKB5245 datasheet(4/8 Pages) VBSEMI

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A S O

Drain-to-Source Voltage, VDS -- V

[Nch]

[Pch]

Drain Current, ID -- A

SW Time -- ID

Ciss, Coss, Crss -- VDS

Drain Current, ID -- A

| yfs | -- I

Diode Forward Voltage, VSD -- V

IS -- VSD

Drain-to-Source Voltage, VDS -- V

IT13503

0.01

0.1

IT13504

0.1

0.3

0.5

1.1

0.7

0.9

0.01

0.1

1.0

0.1

5 7

1.0

35 7

1.0

VDS=10V

Ta=

--25

°C

75°

°C

VGS=0V

0.01

0.1

5 7

1.0

35 77

100

IT13505

212

810

IT13506

100

1000

f=1MHz

VDD=10V

VGS=4.5V

td(off)

td(on)

Ciss

Crss

Coss

Total Gate Charge, Qg -- nC

VGS -- Qg

5.0

1.0

1.5

0.5

4.5

IT13507

2.5

2.0

4.0

3.0

3.5

4.5

1.0

0.5

1.5

2.0

2.5

3.5

3.0

4.0

VDS=10V

ID=4A

ID -- VDS

ID -- VGS

Drain-to-Source Voltage, VDS -- V

Gate-to-Source Voltage, VGS -- V

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--0.5

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--0.1

--0.3

--0.5

--0.7

--0.9

IT14533

--1.0

--0.4 --0.6 --0.8

--0.2

--1.2

--1.8

--1.6

--1.4

--2.2

--2.0

--1.0

--0.5

--1.5

--2.0

--2.5

--3.0

--3.5

--5.0

--4.5

--4.0

IT14534

--1.5V

VDS= --10V

VGS= --1.2V

IT16454

0.1

1.0

0.01

0.1

1.0

100

32 3 5

Operation in this

area is limited by RDS(on).

100

μs

100ms

operation

10ms

1ms

100

IDP=20A (PW≤10μs)

ID=4A

[Nch]

Ta=25

°C

Single pulse

When mounted on ceramic substrate (900mm2

×0.8mm)

VBKB5245

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