| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SSM6P35AFE bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Toshiba Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SSM6P35AFE bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Toshiba Semiconductor |
|
1 / 8 page ![]() SSM6P35AFE 1 MOSFETs Silicon P-Channel MOS SSM6P35AFE SSM6P35AFE SSM6P35AFE SSM6P35AFE Start of commercial production 2017-07 1. 1. 1. 1. Applications Applications Applications Applications • Analog Switches 2. 2. 2. 2. Features Features Features Features (1) 1.2 V drive (2) ESD(HBM) level 2 kV (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 3.2 Ω (typ.) (@VGS = -1.2 V) RDS(ON) = 2.3 Ω (typ.) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 2.0 Ω (typ.) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 1.5 Ω (typ.) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 1.1 Ω (typ.) (@VGS = -4.5 V) 3. 3. 3. 3. Packaging and Internal Circuit Packaging and Internal Circuit Packaging and Internal Circuit Packaging and Internal Circuit ES6 1: Source 1 2: Gate 1 3: Drain 2 4: Source 2 5: Gate 2 6: Drain 1 2017-06-22 Rev.2.0 ©2017 Toshiba Corporation |
Số phần tương tự - SSM6P35AFE |
|
Mô tả tương tự - SSM6P35AFE |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |