| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MRF237 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Advanced Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MRF237 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Advanced Semiconductor |
|
|
1 / 1 page ![]() A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. REV. A 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004 1/1 Specifications are subject to change without notice. CHARACTERISTICS TC = 25 °C TRANS1.SYM SYMBOL TEST CONDITIONS MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS BVCEO IC = 10 mA 18 V BVCES IC = 5.0 mA 36 V BVEBO IC = 1.0 mA 4.0 V ICBO VCE = 15 V .25 mA hFE VCE = 5.0 V IC = 250 mA 5.0 --- COB VCB = 15 V f = 1.0 MHz 15 20 pF GPE ηηηη VCC = 12.5 V POUT = 4.0 W f = 175 MHz 12 50 14 62 dB % SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR MRF237 DESCRIPTION: The MRF237 is designed for large signal power amplifier applications operating to 225 MHz MAXIMUM RATINGS IC 1.0 A VCBO 36 V VCEO 18 V PDISS 8.0 W @ TC = 25 °C TJ -65 °C to +200 °C TSTG -65 °C to +200 °C θθθθ JC 22 °C/W PACKAGE STYLE TO-39 1 = EMITTER 2 = BASE 3 = COLLECTOR |
Số phần tương tự - MRF237 |
|
Mô tả tương tự - MRF237 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |