| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MMBT5401 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5401 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
1 / 4 page ![]() MMBT 5401 PNP Transistor 1 / 4 www.pingjingsemi.com Revision:1.1 Jan-2019 Absolute Maximum Ratings (TA = 25℃) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 160 V Collector Emitter Voltage -VCEO 150 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current -IC 600 mA Power Dissipation PD 350 mW Junction Temperature TJ 150 O C Storage Temperature Range TSTG - 55 to + 150 O C Features 1.Base 2.Emitter 3.Collector Marking: 2L SOT-23 (TO-236) For High Voltage Amplifer Applications. Silicon Epitaxial Chip. |
Số phần tương tự - MMBT5401 |
|
Mô tả tương tự - MMBT5401 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |