| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FDS160VT1G bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - First Silicon Co., Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FDS160VT1G bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - First Silicon Co., Ltd |
|
1 / 3 page ![]() SOD-723 VSC 2 2 ANODE 1 CATHODE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) Peak reverse voltage 90 DC reverse voltage 80 Peak forward current 225 Mean rectifying current 100 Surge current (1s) 500 Junction temperature Storage temperature – 55 ~ +125 Switching diode • Applications High speed switching • Features 1) Extremely small surface mounting type. 2) High Speed. (trr = 1.2ns Typ.) 3) High reliability. • Construction Silicon epitaxial planar 1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25 C) Forward voltage Reverse current IR – 0.1 µA Capacitance between terminals CT 0.72 3.0 pF VR=0.5V , f=1MHz Reverse recovery time VR=6V , IF=10mA , RL=100 Ω Device Marking and Ordering Information • Device Marking Shipping 3000/Tape&Reel FDS160VT1G 3 Symbol Parameter 2008. 1. 28 1/3 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA FDS160V Revision No : 0 Limit Unit VRM VR IFM IO Isurge TJ Tstg mA mA C C 125 mA V V Symbol Parameter Min. Unit Typ. Max. Conditions VF trr – – – – – – 1.2 4 V ns IF=100mA VR=80V |
Số phần tương tự - FDS160VT1G |
|
Mô tả tương tự - FDS160VT1G |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |