| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FDR501UT3G bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - First Silicon Co., Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FDR501UT3G bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - First Silicon Co., Ltd |
|
1 / 3 page ![]() Absolute maximum ratings (Ta = 25 °C) Parameter Symbol Limits Unit Peak reverse voltage VRM V DC reverse voltage VR V Mean rectifying current IO 0.1 A Peak forward surge current� IFSM 1 A Junction temperature 125 C Storage temperature C 45 40 −40~ +125 Tj Tstg �60 Hz for 1 Electrical characteristics (Ta = 25 °C) Note) ESD sensitive product handling required. Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions Forward voltage VF1 − 0.55 V IF =100mA Forward voltage VF2 − 0.34 V IF =10mA Reverse current IR − 30 µA VR =10V Capacitance between terminals − 6.0 − pF VR =10V, f=1MHz CT − − − Surface Mount Schotty Diode 2 ANODE 1 CATHODE Features Applications s e r u t a e F s e r u t a e F Construction Construction Device marking and ordering information Device Marking Shipping FDR501UT1G 4 3000/Tape&Reel FDR501UT3G 4 10000/Tape&Reel Low current rectification 1) Small surface mounting type. 2) High reliability. Silicon epitaxial planar SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA FDR501U SC-76 / SOD-323 2 1 2009. 7. 28 1/3 Revision No : 1 |
Số phần tương tự - FDR501UT3G |
|
Mô tả tương tự - FDR501UT3G |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |