WNSC101200W datasheet(1/11 Pages) WEEN

tên linh kiện	WNSC101200W

Giải thích chi tiết về linh kiện	Silicon Carbide Diode

PDF	11 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	WEEN [WeEn Semiconductors]

Trang chủ	http://www.ween-semi.com

Logo

1 / 11 page

WNSC101200W

Silicon Carbide Diode

Rev.02 - 2 July 2019

Product data sheet

1. General description

Silicon Carbide Schottky diode in a TO247-2L

plastic package, designed for high frequency

switched-mode power supplies.

2. Features and benefits

3. Applications

• Power factor correction

• Telecom / Server SMPS

• UPS

• PV inverter

• PC Silverbox

• LED / OLED TV

• Motor Drives

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Values

Unit

Absolute maximum rating

VRRM

repetitive peak reverse

voltage

1200

V

IF(AV)

average forward current δ = 0.5 ; square-wave pulse; Tmb ≤ 138 °C;

Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3; Fig. 4

10

A

Tj

junction temperature

175

°C

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Static characteristics

VF

forward voltage

IF = 10 A; Tj = 25 °C; Fig. 6

-

1.4

1.6

V

IF = 10 A; Tj = 150 °C; Fig. 6

-

1.85

2.3

V

IF = 10 A; Tj = 175 °C; Fig. 6

-

2

2.6

V

Dynamic characteristics

Qr

recovered charge

IF = 10 A; VR = 400 V; dIF/dt = 500 A/μs;

Tj = 25 °C; Fig. 8

-

24

-

nC

• Highly stable switching performance

• High forward surge capability IFSM

• Extremely fast reverse recovery time

• Superior in efficiency to Silicon Diode alternatives

• Reduced losses in associated MOSFET

• Reduced EMI

• Reduced cooling requirements

• RoHS compliant

• High junction operating temperature capability (Tj(max) = 175 °C)

RoHS

halogen-Free

Số phần tương tự - WNSC101200W

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
WeEn Semiconductors	WNSC101200	370Kb / 11P	Silicon Carbide Diode
WeEn Semiconductors	WNSC101200CW	426Kb / 11P	Silicon Carbide Diode

More results

Mô tả tương tự - WNSC101200W

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
NXP Semiconductors	NXPSC06650	159Kb / 9P	Silicon Carbide Diode 4 May 2015
Infineon Technologies A...	IDL12G65C5	726Kb / 11P	Silicon Carbide Diode Rev. 2.0, 2013-12-05
	IDL06G65C5	727Kb / 11P	Silicon Carbide Diode Rev. 2.0, 2013-12-05
	IDL04G65C5	727Kb / 11P	Silicon Carbide Diode Rev. 2.0, 2013-12-05
	IDK12G65C5	1Mb / 11P	Silicon Carbide Diode Rev. 2.0, 2013-07-20
	IDK05G65C5	1Mb / 11P	Silicon Carbide Diode Rev. 2.0, 2013-07-20
WeEn Semiconductors	NXPLQSC20650W	378Kb / 10P	Silicon Carbide Diode
	NXPSC06650D	272Kb / 10P	Silicon Carbide Diode
	NXPSC08650	482Kb / 8P	Silicon Carbide Diode
Cree, Inc	E4D20120G	2Mb / 6P	Silicon Carbide Schottky Diode Silicon Carbide Schottky Diode

More results

WNSC101200W bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - WeEn Semiconductors

WNSC101200W bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - WeEn Semiconductors

Số phần tương tự - WNSC101200W

Mô tả tương tự - WNSC101200W

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

bảng dữ liệu tải về

Link URL