| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
WNB111S5APTS bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - WeEn Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
WNB111S5APTS bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - WeEn Semiconductors |
|
4 / 7 page ![]() WeEn Semiconductors WNB111S5APTS Ultrafast power diode - Bare die WNB111S5APTS Product data sheet All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © WeEn Semiconductors Co., Ltd. 2018. All rights reserved 9 October 2018 4 / 7 MECHANICAL PARAMETER Chip size 2.84 x 2.84 mm2 Anode pad size 2.28 x 2.28 mm2 Area total /active 8.07 / 5.20 mm2 Thickness 300 μm Wafer size 125 mm Max possible chips per wafer 1371 pcs Passivation Glass Front metal Al Back metal Ti Ni Ag CHIP LAYOUT < > < > Die size: 2840m x 2840m Bond pad size: 2280m x 2280 m 2840 2280 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |