 |
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
|
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
D291S45T bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
D291S45T bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
1 / 2 page  isc website：www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 1 D291S45T Fast Recovery Diode FEATURES · Full diffusion process,flat type ceramic tube package · Double sides cooling,High current · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · High power converters · AC/DC switching · Phase controlled rectifying ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VR Repetitive Peak Reverse Voltage 4500 V IF(AV) Average Forward Current TC=85℃ 290 A IFSM Surge Forward Current Tj=125℃ 4500 A TJ Junction Temperature -40~125 ℃ Tstg Storage Temperature Range -40~140 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 0.11 ℃ /W |
Số phần tương tự - D291S45T |
|
Mô tả tương tự - D291S45T |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Vietnamese ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
