| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IDP20E65D2 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IDP20E65D2 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 1 Ultrafast Recovery Diode IDP20E65D2 FEATURES · Ultrafast Recovery Time · Low Forward Voltage · Low Leakage Current · 175℃ Operating Junction Temperature · High Temperature Glass Passivated Junction · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · Designed for use in switching power supplies and other power Switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage 650 V IF(AV) Average Rectified Forward Current 40 A IFSM Nonrepetitive Peak Surge Current (Surge applied at rated load conditions half- wave, single phase, tp=8.3ms) 120 A TJ Junction Temperature -55~175 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~175 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 1.25 ℃ /W |
Số phần tương tự - IDP20E65D2 |
|
Mô tả tương tự - IDP20E65D2 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |