| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
JDP2S02S bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Toshiba Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
JDP2S02S bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Toshiba Semiconductor |
|
1 / 3 page ![]() JDP2S02S 2001-12-05 1 TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial PIN Type JDP2S02S UHF~VHF Band RF Attenuator Applications · Suitable for reducing set’s size as a result from enabling high-density mounting due to 2-pin small packages. · Low series resistance: rs = 1.0 Ω (typ.) · Low capacitance: CT = 0.3 pF (typ.) Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Reverse voltage VR 30 V Forward current IF 50 mA Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature range Tstg −55~150 °C Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. Max Unit Reverse voltage VR IR = 10 µA 30 ¾ ¾ V Reverse current IR VR = 30 V ¾ ¾ 0.1 µA Forward voltage VF IF = 50 mA ¾ 0.9 0.94 V Capacitance CT VR = 1 V, f = 1 MHz ¾ 0.3 0.5 pF Series resistance rs IF = 10 mA, f = 100 MHz ¾ 1.0 1.5 Ω Note: Signal level when capacitance is measured. Vsig = 20 mVrms Marking Unit: mm JEDEC ― JEITA ― TOSHIBA 1-1K1A Weight: 0.0011 g 2 |
Số phần tương tự - JDP2S02S |
|
Mô tả tương tự - JDP2S02S |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |