| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
HM5470 bảng dữ liệu(PDF) 9 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
HM5470 bảng dữ liệu(HTML) 9 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
|
9 / 9 page ![]() 应用中的几个问题 R1、R2 和 R3 的确定 R1 和R2 用于稳定芯片的供电电压,推荐分别使用 330Ω的电阻。如果R1 和R2 太大,芯片的导通电流会导 致检测电压上升,使各检测阈值与电池实际电压偏差增 加;同时,如果充电器接反,可能会使 电路的 VDD端与VSS端电压超过极限值,导致电路损坏,因此R1 和 R2 也不宜太小,一般控制在 100Ω至 470Ω之间。 在充电器反接或连接充电电压高于极限值的充电 器时, R3 起限制电流的作用。如果 R3 太小,由于充电 器的反接在芯片内部流入容许功耗以上的电流,有导致 芯片损坏的危险。 R3 连接过大电阻,当连接高电压充 电器时,有可能导致不能切断充电电流的情况发生。因 此, R3 应控制在 1kΩ 至 4KΩ 之间。 C1 和 C2 的确定 C1 和C2 有稳定VDD电压的作用,尽量选用大于或 等于 0.01μF的电容。 封装尺寸 图 -7 SOT23-6 封装外形尺寸图 [表-5] 图-7 的尺寸(单位:毫米) 符号 最小值 最大值 A 1.050 1.250 A1 0.000 0.100 A2 1.050 1.150 b 0.300 0.500 c 0.100 0.200 D 2.280 3.020 E 1.500 1.700 E1 2.650 2.950 e 0.950 (BSC) e1 1.800 2.000 L 0.300 0.600 θ 0º 8º |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |