| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
GD25VQ127CSFS bảng dữ liệu(PDF) 43 Page - GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
GD25VQ127CSFS bảng dữ liệu(HTML) 43 Page - GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. |
|
43 / 62 page ![]() Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash GD25VQ127C 43 8. ELECTRICAL CHARACTERISTICS 8.1. POWER-ON TIMING Figure 41. Power-on Timing Sequence Diagram Vcc(max) Vcc(min) VWI tVSL Chip Selection is not allowed Device is fully accessible Time Table 8.1. Power-Up Timing and Write Inhibit Threshold Symbol Parameter Min Max Unit tVSL VCC (min) To CS# Low 2.5 ms VWI Write Inhibit Voltage 1.5 2.2 V 8.2. INITIAL DELIVERY STATE The device is delivered with the memory array erased: all bits are set to 1(each byte contains FFH).The Status Register bits are set to 0, except DRV1 bit (S22) is set to 1. 8.3. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Value Unit Ambient Operating Temperature -40 to 85 ℃ Storage Temperature -65 to 150 ℃ Applied Input/Output Voltage -0.6 to VCC+0.4 V Transient Input/Output Voltage(note: overshoot) -2.0 to VCC+2.0 V VCC -0.6 to 4.0 V Figure 42. Maximum Negative/positive Overshoot Diagram Vss 20ns Maximum Negative Overshoot Waveform Maximum Positive Overshoot Waveform 20ns 20ns Vss-2.0V Vcc 20ns 20ns 20ns Vcc + 2.0V |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |