| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
GD25Q257DBER bảng dữ liệu(PDF) 91 Page - GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
GD25Q257DBER bảng dữ liệu(HTML) 91 Page - GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. |
|
91 / 99 page ![]() 3.3V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash GD25Q257D 91 tRST CS# High To Next Command After Reset (Except From Erase) 30 us tRST_E CS# High To Next Command After Reset (From Erase) 12 ms tW Write Status Register Cycle Time 5 20 ms tBP1 Byte Program Time (First Byte) 30 60 us tBP2 Additional Byte Program Time (After First Byte) 2.5 15 us tPP Page Programming Time 0.4 2.5 ms tSE Sector Erase Time 70 450 ms tBE1 Block Erase Time (32K Bytes) 0.16 1.2 s tBE2 Block Erase Time (64K Bytes) 0.22 2 s tCE Chip Erase Time (GD25Q257D) 70 260 s Note: 1. Typical value tested at T = 25℃. 2. Value guaranteed by design and/or characterization, not 100% tested in production. Figure 85. Serial Input Timing Figure 86. Output Timing SCLK CS# SI MSB SO High-Z LSB tCHSL tSLCH tDVCH tCHDX tSHCH tCHSH tCHCL tCLCH tSHSL CS# SCLK SO SI Least significant address bit (LIB) in tCLQV tCLQX tCLQX tCLQV tCLH tCLL tSHQZ LSB |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |