LP35116T datasheet(5/8 Pages) LANDP

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LP35116T

高性能副边同步整流驱动芯片

LP35116T_CN_DS_Rev.0.99

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多样化的 VCC 供电技术

反激系统：

情况 1（典型应用）： MOS 管，C

ISS 必须≤6nF 时，VOUT

与 VCC 短接，通过 D 脚给 VCC 供电。如图 5、图 6

GND

VCC

DRV

VOUT

DRAIN

GND

VCC

DRV

VOUT

DRAIN

图 5 输出上端

图 6 输出下端

此种方式供电，芯片的带载能力 30W~60W。

情况 2：输出电压 Vo>6.5V 时，驱动器的地和输出的地连

接应用，VOUT 接输出电容正端加强 VCC 供电。如图 7，

效率会比典型应用高一些。

GND

VCC

DRV

VOUT

DRAIN

图 7 输出下端

此种方式供电，建议建议 MOS 管的 Ciss 小于 8nF，芯片

的带载能力 60W~120W

情况 3：输出电压 Vo≤6.5V 时，VOUT 与 VCC 短接，VCC

可外加 CVF 电路加强供电，效率比典型应用高一些，如图

8、图 9

GND

VCC

DRV

VOUT

DRAIN

GND

VCC

DRV

VOUT

DRAIN

图 8 输出上端

图 9 输出下端

C1：取值 MOS 管 CISS 的 1/10，C1 可以适当调整，尽量

使 VCC 工作于 6.3V~6.4V；D1、D2：用 1N4148。

此种方式供电，芯片的带载能力 60W~120W。

情况 4：从变压器绕组取电（D1、C1、R1），加强 VCC 供

电。效率比典型应用高一些，如图 10、图 11

GND

VCC

DRV

VOUT

DRAIN

GND

VCC

DRV

VOUT

DRAIN

图 10 输出上端

图 11 输出下端

VOUT 承受电压范围 6.5V~40V；D1 用 1N4148；R1 根据

实际需要选取适当的阻值进行限流；

C1 容量 2.2uF~10uF，

耐压要大于 VOUT 承受的最大电压。

此种方式供电，建议 MOS 管的 Ciss 小于 8nF，芯片的带

载能力 60W~120W。

情况 5：变压器增加辅助绕组取电（L1、D1、C1、R1），

加强 VCC 供电。效率比典型应用高一些，如图 12、图 13

GND

VCC

DRV

VOUT

DRAIN

GND

VCC

DRV

VOUT

DRAIN

图 12 输出上端

图 13 输出下端

VOUT 承受电压范围 6.5V~40V；D1 用 1N4148；R1 根据

实际需要选取适当的阻值进行限流；

C1 容量 2.2uF~10uF，

耐压要大于 VOUT 承受的最大电压。

此种方式供电，建议 MOS 管的 Ciss 小于 8nF，芯片的带

载能力 60W~120W。

正激系统：

情况 1（典型应用）：MOS 管 C

ISS 必须≤6nF，VOUT 与

VCC 短接，通过 D 脚给 VCC 供电，如图 12

GND

VCC

DRV

VOUT

DRAIN

图 14

此种方式供电，芯片的带载能力 30W~60W。

情况 2：输出电压 Vo>6.5V，VOUT 可以接输出电压 Vo 正

端，加强 VCC 供电，效率比典型应用高一些，如图 15

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