| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
EMD04N60AB bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Excelliance MOS Corp. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
EMD04N60AB bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Excelliance MOS Corp. |
|
1 / 6 page ![]() 2015/3/25 p.1 EMD04N60AB G D S N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 600V RDSON (MAX.) 2.4Ω ID 4A UIS, 100% Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate‐Source Voltage VGS ±30 V Continuous Drain Current TC = 25 °C ID 4 A TC = 100 °C 3.2 Pulsed Drain Current 1 IDM 16 Avalanche Current IAS 4 Avalanche Energy L = 3mH, ID=4A, RG=25Ω EAS 24 mJ Repetitive Avalanche Energy 2 L = 0.5mH EAR 4 Power Dissipation TC = 25 °C PD 30 W TC = 100 °C 12 Operating Junction & Storage Temperature Range Tj, Tstg ‐55 to 150 °C THERMAL RESISTANCE RATINGS THERMAL RESISTANCE SYMBOL TYPICAL MAXIMUM UNIT Junction‐to‐Case RJC 4.2 °C / W Junction‐to‐Ambient RJA 110 1Pulse width limited by maximum junction temperature. 2Duty cycle 1% |
Số phần tương tự - EMD04N60AB |
|
Mô tả tương tự - EMD04N60AB |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |