| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
EMB45P03P bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Excelliance MOS Corp. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
EMB45P03P bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Excelliance MOS Corp. |
|
4 / 5 page ![]() 2012/4/26 p.4 EMB45P03P Q ,Gate Charge( nC ) Gate Charge Characteristics 0 0 2 4 2 g 4 I = ‐4A 6 8 D 10 10 8 6 12 ‐15V ‐10V V = ‐5V DS Capacitance Characteristics ‐V Drain‐Source Voltage( V ) 0 0 300 150 450 DS 5 10 1050 750 600 900 1200 25 15 20 Crss Coss 30 Ciss V = 0V GS f = 1MHZ ‐V ,Drain to Source Voltage( V ) Gate Charge Characteristics R = 160 C/W JA T = 25 C SINGLE PULSE GS V = ‐10V 0.01 0.1 A 0.1 θ ° DS 1 ° DS(ON) R LIMIT 1 10 100 10 DC 100 10ms 10s 1s 100ms μ 100 s 1ms Single Pulse Maximum Power Dissipation SINGLE PULSE R = 160 C/W T = 25 C 0.01 0.1 1 300 100 10 Single Pulse Time( SEC ) 5 0 30 25 20 15 10 θJA A ° ° t1 , Time( ms ) 0.1 Transient Thermal Response Curve 0.01 0.02 0.001 0.0001 0.01 0.001 0.01 SINGLE PULSE 0.05 0.1 0.2 D=0.5 0.1 1 * R (t)= r(t) R A Duty Cycle,D= t1 / t2 T ‐ T = P R (t) t2 R = 160 C/W 110 t1 P(pk) θ θ JA JA 1000 100 JA * θ JA ° θ j |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |