| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SM7311DHKP bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Sinopower Semiconductor Inc |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SM7311DHKP bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Sinopower Semiconductor Inc |
|
2 / 11 page ![]() SM7311DHKP Copyright © Sinopower Semiconductor Inc. Rev. A.1 - November, 2018 www.sinopowersemi.com Absolute Maximum Ratings (TA=25°C Unless Otherwise Noted) 2 Symbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 TJ Maximum Junction Temperature 150 C TSTG Storage Temperature Range -55 to 150 IS Diode Continuous Forward Current TC=25°C 13 A ID Continuous Drain Current TC=25°C 27 TC=100°C 16.4 IDM a Pulse Drain Current TC=25°C 100 A PD Maximum Power Dissipation TC=25°C 30 W TC=100°C 11 RqJC Thermal Resistance-Junction to Case 4.2 °C/W ID Continuous Drain Current TA=25°C 5.8 A TA=70°C 4.6 PD Maximum Power Dissipation TA=25°C 1.39 W TA=70°C 0.89 RqJAc Thermal Resistance-Junction to Ambient Steady State 90 °C/W IAS b Avalanche Current, Single pulse L=0.5mH 15 A EAS b Avalanche Energy, Single pulse L=0.5mH 56 mJ Note a:Pulse width is limited by max. junction temperature. Note b:UIS tested and pulse width limited by maximum junction temperature 150oC (initial temperature Tj=25oC). Note c:Surface Mounted on 1in2 pad area. |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |